Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISC032N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 170 A, Mejora, PG-TDSON-8 FL de 8 pines
- Código RS:
- 349-139
- Referência do fabricante:
- ISC032N12LM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-139
- Referência do fabricante:
- ISC032N12LM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 170A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 FL | |
| Serie | ISC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 33nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 211W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 170A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 FL | ||
Serie ISC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 211W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel lógico, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Presenta una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que reduce las pérdidas de conducción y mejora el rendimiento. El transistor presenta un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), lo que garantiza unas características de conmutación óptimas. Además, ofrece una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, lo que minimiza las pérdidas por conmutación.
Optimizado para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
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