Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPF031N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 207 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 349-405
- Referência do fabricante:
- IPF031N13NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
12,11 €
Adicione 14 unidades para obter entrega gratuita
Em stock
- Mais 1000 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 6,055 € | 12,11 € |
| 20 - 198 | 5,45 € | 10,90 € |
| 200 - 998 | 5,03 € | 10,06 € |
| 1000 - 1998 | 4,665 € | 9,33 € |
| 2000 + | 4,175 € | 8,35 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 349-405
- Referência do fabricante:
- IPF031N13NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 207A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 135V | |
| Serie | IPF | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 294W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 104nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, Pb-free lead plating, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 207A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 135V | ||
Serie IPF | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 294W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 104nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, Pb-free lead plating, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de 120 V de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Brinda una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que reduce las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia global. Con un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), ofrece un rendimiento de conmutación superior. El dispositivo también tiene una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, lo que garantiza un funcionamiento eficaz.
Optimizado para accionamientos de motor y aplicaciones alimentadas con batería
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
Links relacionados
- Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPF021N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 250 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPF129N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 87 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPF019N12NM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 254 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPF067N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 138 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Módulo transistor IGBT, IMBG120R350M1HXTMA1, PG-TO263-7
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal AIKBE50N65RF5ATMA1, VDSS 650 V, PG-TO263-7, Mejora de 7 pines, 1
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMBG75R140M1HXTMA1, VDSS 750 V, ID 17 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMBG75R027M1HXTMA1, VDSS 750 V, ID 64 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines