Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPP339N20NM6AKSA1, VDSS 200 V, ID 39 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- Código RS:
- 349-118
- Referência do fabricante:
- IPP339N20NM6AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-118
- Referência do fabricante:
- IPP339N20NM6AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 39A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | PG-TO220-3 | |
| Serie | IPP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 33.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC for Industrial Applications | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 39A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado PG-TO220-3 | ||
Serie IPP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Cuenta con una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que garantiza unas pérdidas de conducción reducidas. Este MOSFET también presenta un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM) para un rendimiento de conmutación superior y una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja para un funcionamiento eficiente. Está probado al 100 % contra avalanchas, lo que garantiza su robustez, y puede funcionar a una temperatura elevada de 175 °C, lo que lo hace fiable incluso en entornos exigentes.
Optimizado para accionamientos de motor y aplicaciones alimentadas con batería
Revestimiento de plomo: sin Pb
Conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
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