MOSFET, N-Canal Infineon IMBG120R234M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 8.1 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 349-107
- Referência do fabricante:
- IMBG120R234M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
9,41 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 1000 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,705 € | 9,41 € |
| 20 - 198 | 4,24 € | 8,48 € |
| 200 - 998 | 3,905 € | 7,81 € |
| 1000 - 1998 | 3,625 € | 7,25 € |
| 2000 + | 3,24 € | 6,48 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 349-107
- Referência do fabricante:
- IMBG120R234M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Serie | IMB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 622mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.9nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 80W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Anchura | 10.2mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Altura | 4.5mm | |
| Longitud | 15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Serie IMB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 622mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.9nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 80W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Anchura 10.2mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Altura 4.5mm | ||
Longitud 15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
MOSFET de la serie IMB de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 1200 V, disipación de potencia máxima de 80 W - IMBG120R234M2HXTMA1
Este MOSFET es un dispositivo de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para aplicaciones de alimentación de montaje en superficie. Proporciona una conducción controlada para funciones de conmutación y conversión al tiempo que funciona en un amplio rango ambiental. El componente está configurado en un encapsulado PG-TO263-7 de siete contactos para su integración en placas de alimentación y es adecuado donde se requiere un accionamiento de puerta robusto y una alta tensión de bloqueo.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 1200 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 8,1 A admite un rendimiento de potencia moderado
• La disipación de potencia de 80 W permite una carga térmica sostenida
• La baja Rds(on) de 622 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta de 7,9 nC permite transiciones de conmutación relativamente rápidas
• La tolerancia de puerta de 25 V garantiza la compatibilidad con los accionamientos de puerta comunes
• La corriente de drenaje continua de 8,1 A admite un rendimiento de potencia moderado
• La disipación de potencia de 80 W permite una carga térmica sostenida
• La baja Rds(on) de 622 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta de 7,9 nC permite transiciones de conmutación relativamente rápidas
• La tolerancia de puerta de 25 V garantiza la compatibilidad con los accionamientos de puerta comunes
Aplicaciones
• Se utiliza para convertidores dc-dc de alta tensión en sistemas industriales
• Apto para la conmutación de potencia en inversores de energía renovable
• Ideal para frontales de accionamiento de motor con carriles de tensión elevados
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación de modo conmutado y reguladores
• Se utiliza con gestión térmica para módulos de potencia compactos
• Apto para la conmutación de potencia en inversores de energía renovable
• Ideal para frontales de accionamiento de motor con carriles de tensión elevados
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación de modo conmutado y reguladores
• Se utiliza con gestión térmica para módulos de potencia compactos
¿Qué extremos térmicos puede soportar este dispositivo durante el funcionamiento?
Está diseñado para funcionar entre -55 °C y 200 °C, lo que permite su uso en entornos con temperaturas muy bajas y condiciones de unión o ambiente excepcionalmente altas cuando está correctamente montado y refrigerado.
¿Cómo afecta la configuración de contactos al diseño y montaje de la placa de circuito impreso?
La disposición PG-TO263-7 de siete contactos concentra las conexiones de alimentación y puerta para una transferencia de calor eficaz a la placa y simplifica el enrutamiento de vías de drenaje y fuente para rutas de corriente de baja impedancia.
¿Qué normas y limitaciones ambientales se reflejan en su fabricación?
La producción se ajusta a las recomendaciones de manipulación JEDEC47/20/22 y el dispositivo cumple los requisitos RoHS para sustancias restringidas.
¿Cómo deben tener en cuenta los diseñadores el rendimiento de conmutación en circuitos de alta frecuencia?
Utilice la cifra de carga de puerta típica de 7,9 nC para estimar la energía de accionamiento de puerta y seleccionar controladores de puerta y ajustes de tiempo muerto para equilibrar las pérdidas de conmutación y el control de emisión electromagnética.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG120R116M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 21.2 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG120R053M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 29 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG120R078M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 21 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG120R017M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 107 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG120R026M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 53 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG120R008M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 189 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG120R022M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 62 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG120R012M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 144 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines