MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG120R181M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 10.5 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 349-105
- Referência do fabricante:
- IMBG120R181M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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| 20 - 198 | 4,16 € | 8,32 € |
| 200 - 998 | 3,83 € | 7,66 € |
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*preço indicativo
- Código RS:
- 349-105
- Referência do fabricante:
- IMBG120R181M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Serie | IMB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 181.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 94W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Altura | 4.5mm | |
| Longitud | 15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Serie IMB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 181.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 94W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Altura 4.5mm | ||
Longitud 15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este CoolSiC 1200 V SiC G2 de Infineon es un MOSFET de carburo de silicio de alto rendimiento diseñado para una eficiencia superior con pérdidas de conmutación muy bajas. Con un tiempo de resistencia al cortocircuito de 2 μs, el dispositivo proporciona una protección robusta contra condiciones de fallo. La tensión umbral de puerta de referencia (VGS(th)) de 4,2 V garantiza un rendimiento de conmutación óptimo, lo que lo convierte en una opción excelente para aplicaciones de potencia exigentes que requieren alta eficiencia y fiabilidad.
Diodo de cuerpo robusto para conmutación dura
Tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su categoría
Mejor eficiencia energética
Optimización de la refrigeración
Mayor densidad de potencia
Nuevas características de robustez
Altamente fiable
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