MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG120R022M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 62 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 349-097
- Referência do fabricante:
- IMBG120R022M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
17,95 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 1000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 17,95 € |
| 10 - 99 | 16,16 € |
| 100 + | 14,89 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 349-097
- Referência do fabricante:
- IMBG120R022M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 62A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | IMB | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 21.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 385W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 71nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 15mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Altura | 4.5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 62A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie IMB | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 21.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 385W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 71nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 15mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Altura 4.5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este CoolSiC 1200 V SiC G2 de Infineon es un MOSFET de carburo de silicio de alto rendimiento diseñado para una eficiencia superior con pérdidas de conmutación muy bajas. Con un tiempo de resistencia al cortocircuito de 2 μs, el dispositivo proporciona una protección robusta contra condiciones de fallo. La tensión umbral de puerta de referencia (VGS(th)) de 4,2 V garantiza un rendimiento de conmutación óptimo, lo que lo convierte en una opción excelente para aplicaciones de potencia exigentes que requieren alta eficiencia y fiabilidad.
Diodo de cuerpo robusto para conmutación dura
Tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su categoría
Mejor eficiencia energética
Optimización de la refrigeración
Mayor densidad de potencia
Nuevas características de robustez
Altamente fiable
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG120R116M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 21.2 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG120R017M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 107 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG120R234M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 8.1 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG120R026M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 53 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG120R008M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 189 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG120R012M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 144 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG120R181M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 10.5 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG120R040M2HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 52 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines