MOSFET, N-Canal Infineon IMTA65R050M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 43 A, Mejora, PG-LHSOF-4 de 4 pines
- Código RS:
- 349-058
- Referência do fabricante:
- IMTA65R050M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 349-058
- Referência do fabricante:
- IMTA65R050M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 43A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-LHSOF-4 | |
| Serie | IMT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 62mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 197W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 43A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-LHSOF-4 | ||
Serie IMT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 62mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 197W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este MOSFET CoolSiC 650 V G2 de Infineon se basa en la robusta tecnología de trinchera de carburo de silicio de 2.ª generación de Infineon, lo que ofrece un rendimiento incomparable, una fiabilidad superior y una facilidad de uso excepcional. Este MOSFET permite diseños rentables, altamente eficientes y simplificados, por lo que es ideal para satisfacer las crecientes demandas de los sistemas y mercados de energía modernos. Su avanzada tecnología proporciona una solución potente para conseguir una alta eficacia del sistema en una amplia gama de aplicaciones.
Pérdidas por conmutación ultrabajas
Robusto contra encendido parásito incluso con una tensión de puerta de apagado de 0 V
Tensión de excitación flexible y compatible con el esquema de control bipolar
Funcionamiento robusto del diodo de cuerpo en caso de conmutación dura
Tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su categoría
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