MOSFET, N-Canal Infineon IMTA65R060M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 37 A, Mejora, PG-LHSOF-4 de 8 pines
- Código RS:
- 349-060
- Referência do fabricante:
- IMTA65R060M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 349-060
- Referência do fabricante:
- IMTA65R060M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 37A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Encapsulado | PG-LHSOF-4 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 165W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 37A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Encapsulado PG-LHSOF-4 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 165W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este MOSFET CoolSiC 650 V G2 de Infineon se basa en la robusta tecnología de trinchera de carburo de silicio de 2.ª generación de Infineon, lo que ofrece un rendimiento incomparable, una fiabilidad superior y una facilidad de uso excepcional. Este MOSFET permite diseños rentables, altamente eficientes y simplificados, por lo que es ideal para satisfacer las crecientes demandas de los sistemas y mercados de energía modernos. Su avanzada tecnología proporciona una solución potente para conseguir una alta eficacia del sistema en una amplia gama de aplicaciones.
Pérdidas por conmutación ultrabajas
Robusto contra encendido parásito incluso con una tensión de puerta de apagado de 0 V
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