MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMTA65R060M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 37 A, Mejora, PG-LHSOF-4 de 8 pines
- Código RS:
- 349-060
- Referência do fabricante:
- IMTA65R060M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
7,33 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 08 de dezembro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 7,33 € |
| 10 - 99 | 6,60 € |
| 100 - 499 | 6,08 € |
| 500 - 999 | 5,64 € |
| 1000 + | 5,06 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 349-060
- Referência do fabricante:
- IMTA65R060M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 37A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-LHSOF-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 165W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 37A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-LHSOF-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 165W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este MOSFET CoolSiC 650 V G2 de Infineon se basa en la robusta tecnología de trinchera de carburo de silicio de 2.ª generación de Infineon, lo que ofrece un rendimiento incomparable, una fiabilidad superior y una facilidad de uso excepcional. Este MOSFET permite diseños rentables, altamente eficientes y simplificados, por lo que es ideal para satisfacer las crecientes demandas de los sistemas y mercados de energía modernos. Su avanzada tecnología proporciona una solución potente para conseguir una alta eficacia del sistema en una amplia gama de aplicaciones.
Pérdidas por conmutación ultrabajas
Robusto contra encendido parásito incluso con una tensión de puerta de apagado de 0 V
Tensión de excitación flexible y compatible con el esquema de control bipolar
Funcionamiento robusto del diodo de cuerpo en caso de conmutación dura
Tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su categoría
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMTA65R050M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 43 A, Mejora, PG-LHSOF-4 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMTA65R040M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 54 A, Mejora, PG-LHSOF-4 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMTA65R020M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 77 A, Mejora, PG-LHSOF-4 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPTA60R180CM8XTMA1, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, PG-LHSOF-4 de 4 pines
- MOSFET Infineon, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon IPAN60R210PFD7SXKSA1, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 3.6 A, Mejora, PG-SOT223 de 3 pines
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal AIKBE50N65RF5ATMA1, VDSS 650 V, PG-TO263-7, Mejora de 7 pines, 1