Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISZ028N03LF2SATMA1, VDSS 30 V, ID 128 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 348-902
- Referência do fabricante:
- ISZ028N03LF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
7,43 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 4950 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,743 € | 7,43 € |
| 100 - 240 | 0,706 € | 7,06 € |
| 250 - 490 | 0,654 € | 6,54 € |
| 500 - 990 | 0,601 € | 6,01 € |
| 1000 + | 0,578 € | 5,78 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 348-902
- Referência do fabricante:
- ISZ028N03LF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 128A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8 | |
| Serie | ISZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 128A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PG-TSDSON-8 | ||
Serie ISZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia StrongIRFET 2 30 V de Infineon en encapsulado PQFN 3,3 x 3,3. Cuenta con una RDS(on) de 2,8 mΩ, la mejor de su categoría, en un encapsulado PQFN de 3,3 x 3,3. Este producto está pensado para gran variedad de aplicaciones de baja a alta frecuencia de conmutación. En comparación con la tecnología anterior, consigue una mejora de hasta el 40 % de la RDS(on), con una mejora de hasta el 60 % de la FOM y una excelente robustez.
Productos de uso general
Excelente robustez
Relación calidad/precio superior
Amplia disponibilidad en distribuidores
Encapsulado estándar y disposición de pines
Altos estándares de fabricación y suministro
Links relacionados
- Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISZ033N03LF2SATMA1, VDSS 30 V, ID 109 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISZ520N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 26 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISZ143N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 54 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- MOSFET de potencia OptiMOSTM, Tipo N-Canal Infineon ISZ040N03L5ISATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8
- MOSFET de potencia OptiMOSTM, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- Transistor de potencia Infineon, VDSS 600 V, ID 15 A, Mejora, PG-LSON-8-1 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 11.3 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- Transistor de potencia Infineon IGLD60R070D1AUMA3, VDSS 600 V, ID 15 A, Mejora, PG-LSON-8-1 de 8 pines