Transistor de potencia, N-Canal Infineon ISZ033N03LF2SATMA1, VDSS 30 V, ID 109 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 348-903
- Referência do fabricante:
- ISZ033N03LF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 348-903
- Referência do fabricante:
- ISZ033N03LF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 109A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8 | |
| Serie | ISZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 71W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249‑2‑21, RoHS, JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 109A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PG-TSDSON-8 | ||
Serie ISZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 71W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249‑2‑21, RoHS, JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia StrongIRFET 2 30 V de Infineon en encapsulado PQFN 3,3 x 3,3. La tecnología MOSFET de potencia StrongIRFET 2 de 30 V de Infineon presenta una RDS(on) de 3,3 mΩ, la mejor de su categoría, en un encapsulado PQFN de 3,3 x 3,3. Este producto está pensado para gran variedad de aplicaciones de baja a alta frecuencia de conmutación.
Productos de uso general
Excelente robustez
Relación calidad/precio superior
Amplia disponibilidad en distribuidores
Encapsulado estándar y disposición de pines
Altos estándares de fabricación y suministro
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