MOSFET Infineon IPW60R041C6FKSA1, VDSS 650 V, ID 77,5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 911-5019
Referência do fabricante:: IPW60R041C6FKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPW60R041C6FKSA1, VDSS 650 V, ID 77,5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 911-5019
Referência do fabricante:: IPW60R041C6FKSA1
Fabricante:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	77,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Serie	CoolMOS™ C6
Tipo de Encapsulado	TO-247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	41 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
Disipación de Potencia Máxima	481 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	16.13mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	290 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Ancho	5.21mm
Altura	21.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IPW60R041C6FKSA1, VDSS 650 V, ID 77,5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7