MOSFET, N-Canal onsemi NTTFD1D8N02P1E, VDSS 25 V, ID 126 A, Mejora, PQFN-8 de 8 pines
- Código RS:
- 333-403
- Referência do fabricante:
- NTTFD1D8N02P1E
- Fabricante:
- onsemi
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| 5 - 45 | 1,728 € | 8,64 € |
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| 100 - 495 | 1,518 € | 7,59 € |
| 500 - 995 | 1,40 € | 7,00 € |
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*preço indicativo
- Código RS:
- 333-403
- Referência do fabricante:
- NTTFD1D8N02P1E
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 126A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | PQFN-8 | |
| Serie | PowerTrench Power Clip | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 37.5nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 36W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, Pb-Free | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 126A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado PQFN-8 | ||
Serie PowerTrench Power Clip | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37.5nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 36W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, Pb-Free | ||
Longitud 3.3mm | ||
Anchura 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
El MOSFET de potencia de ON Semiconductor optimizado para aplicaciones de baja tensión, que ofrece una alta eficiencia y mínimas pérdidas de conducción. Con su encapsulado DSC-6, ofrece un excelente rendimiento térmico y ventajas de ahorro de espacio para los diseños electrónicos modernos. Este dispositivo garantiza un funcionamiento fiable con una R DS(on) baja y un manejo robusto de la corriente.
Ocupa poco espacio, para un diseño compacto
QG y capacitancia bajos para minimizar las pérdidas del conductor
Sin Pb
Conforme a RoHS
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