MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTTFD1D8N02P1E, VDSS 25 V, ID 126 A, Mejora, PQFN-8 de 8 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
333-403
Referência do fabricante:
NTTFD1D8N02P1E
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

126A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

PQFN-8

Serie

PowerTrench Power Clip

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

37.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

36W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS, Pb-Free

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
PH
El MOSFET de potencia de ON Semiconductor optimizado para aplicaciones de baja tensión, que ofrece una alta eficiencia y mínimas pérdidas de conducción. Con su encapsulado DSC-6, ofrece un excelente rendimiento térmico y ventajas de ahorro de espacio para los diseños electrónicos modernos. Este dispositivo garantiza un funcionamiento fiable con una R DS(on) baja y un manejo robusto de la corriente.

Ocupa poco espacio, para un diseño compacto

QG y capacitancia bajos para minimizar las pérdidas del conductor

Sin Pb

Conforme a RoHS

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