MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ3N060ATTB1, VDSS 80 V, ID 18 A, Mejora, HSOP-8 de 8 pines
- Código RS:
- 331-689
- Referência do fabricante:
- RQ3N060ATTB1
- Fabricante:
- ROHM
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 10 unidades)*
6,87 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 100 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,687 € | 6,87 € |
| 100 - 240 | 0,653 € | 6,53 € |
| 250 - 490 | 0,605 € | 6,05 € |
| 500 - 990 | 0,557 € | 5,57 € |
| 1000 + | 0,536 € | 5,36 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 331-689
- Referência do fabricante:
- RQ3N060ATTB1
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | RQ3N060AT | |
| Encapsulado | HSOP-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 52mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 50nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20W | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie RQ3N060AT | ||
Encapsulado HSOP-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 52mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 50nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20W | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia ROHM es un MOSFET de baja resistencia de encendido ideal para aplicaciones de conmutación y accionamientos de motores. Este MOSFET de potencia se presenta en un encapsulado de molde pequeño de alta potencia.
Revestimiento sin Pb
Conforme con RoHS
Sin halógenos
100% Rg y UIS probado
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RS1N110ATTB1, VDSS 80 V, ID 43 A, Mejora, HSOP-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RS6N120BHTB1, VDSS 80 V, ID 135 A, Mejora, HSOP-8 de 8 pines
- MOSFET ROHM, Tipo P-Canal HP8JE5TB1, VDSS 100 V, ID 12.5 A, HSOP-8, Mejora de 8 pines, 2
- MOSFET ROHM, Tipo P, Tipo N-Canal HP8MC5TB1, VDSS 60 V, HSOP-8, Mejora de 8 pines, 2
- MOSFET ROHM, Tipo N-Canal HP8K24TB, VDSS 30 V, ID 80 A, HSOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET ROHM, Tipo P, Tipo N-Canal HP8MB5TB1, VDSS 40 V, HSOP-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Dual (Nch+Pch)
- MOSFET ROHM, Tipo N, Tipo P-Canal HP8ME5TB1, VDSS 100 V, HSOP-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Dual (Nch+Pch)
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RS1G201ATTB1, VDSS 40 V, ID 78 A, P, HSOP de 8 pines