MOSFET ROHM, Tipo P-Canal HP8JE5TB1, VDSS 100 V, ID 12.5 A, HSOP-8, Mejora de 8 pines, 2
- Código RS:
- 264-654
- Referência do fabricante:
- HP8JE5TB1
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 264-654
- Referência do fabricante:
- HP8JE5TB1
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | HSOP-8 | |
| Serie | HP8J | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 127mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 21W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38.0nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado HSOP-8 | ||
Serie HP8J | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 127mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 21W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38.0nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El semiconductor ROHM es un MOSFET de doble canal P diseñado para aplicaciones eficientes de conmutación y accionamiento de motores. Presenta una baja resistencia a la conexión y una alta disipación de potencia, por lo que es ideal para circuitos de alto rendimiento. El dispositivo está alojado en un encapsulado 8-HSOP, lo que garantiza un montaje en superficie compacto y fiable.
Conforme a RoHS
Paquete de alta potencia
Revestimiento sin Pb
Sin halógenos
Rg y UIS probados
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