MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RS1N110ATTB1, VDSS 80 V, ID 43 A, Mejora, HSOP-8 de 8 pines
- Código RS:
- 265-472
- Referência do fabricante:
- RS1N110ATTB1
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 265-472
- Referência do fabricante:
- RS1N110ATTB1
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 43A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | HSOP-8 | |
| Serie | RS1 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 21.0mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 135nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 43A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado HSOP-8 | ||
Serie RS1 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 21.0mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 135nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia ROHM presenta una baja resistencia de encendido y está diseñado en un encapsulado de molde pequeño de alta potencia, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación y accionamientos de motores. Su tamaño compacto permite un rendimiento eficiente a la vez que optimiza el espacio en los diseños electrónicos.
Conforme con RoHS
Resistencia de conexión baja
Revestimiento sin Pb
Sin halógenos
100% Rg y UIS probado
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