MOSFET STMicroelectronics SCT019H120G3AG, VDSS 1200 V, ID 90 A, HU3PAK
- Código RS:
- 330-318
- Referência do fabricante:
- SCT019H120G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 330-318
- Referência do fabricante:
- SCT019H120G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 90A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | HU3PAK | |
| Serie | SCT0 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18.5mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 555W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 90A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado HU3PAK | ||
Serie SCT0 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18.5mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 555W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología SiC MOSFET avanzada e innovadora de 3ra. generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
Cualificado AEC-Q101
RDS(on) muy bajo en toda la gama de temperaturas
Alta velocidad de conmutación
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Clavija de detección de la fuente para aumentar la eficiencia
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