MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPQC60R010S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 50 A, Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines
- Código RS:
- 284-890
- Referência do fabricante:
- IPQC60R010S7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-890
- Referência do fabricante:
- IPQC60R010S7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | 600V CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 22 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 318nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 694W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC for Industrial Applications | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado PG-HDSOP-22 | ||
Serie 600V CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 22 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 318nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 694W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC for Industrial Applications | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon con dispositivo de alimentación CoolMOS SJ S7 de 600 V de vanguardia representa un notable salto en la tecnología de MOSFET, específicamente diseñado para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. Diseñado con la máxima precisión, este dispositivo ofrece una eficiencia energética inigualable, lo que lo convierte en una elección ideal para relés de estado sólido, disyuntores y varios sistemas de gestión de potencia. El diseño avanzado, que presenta una huella compacta y capacidades de disipación de calor superiores, garantiza un rendimiento óptimo en condiciones exigentes. Reconocido por sus ventajas distintas sobre los componentes electromecánicos tradicionales, este dispositivo integra una conmutación perfecta con una fiabilidad excepcional. Está completamente calificado de acuerdo con los estándares JEDEC para aplicaciones industriales, lo que proporciona confianza en su robustez y fiabilidad en una amplia gama de entornos.
Optimizado para precio y rendimiento
Capacidad de corriente de impulso alta para mayor robustez
El contacto fuente Kelvin mejora el rendimiento de conmutación
Admite aplicaciones que se enfrentan a golpes y vibraciones
El diodo del cuerpo interno minimiza las pérdidas de conducción
Admite refrigeración lateral superior para un mejor rendimiento térmico
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