MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPDQ60R007CM8XTMA1, VDSS 600 V, ID 288 A, Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines
- Código RS:
- 348-993
- Referência do fabricante:
- IPDQ60R007CM8XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 348-993
- Referência do fabricante:
- IPDQ60R007CM8XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 288A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 22 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1249W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 37nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 288A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado PG-HDSOP-22 | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 22 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1249W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Esta plataforma CoolMOS de 8.ª generación de Infeneon es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superconexión (SJ) y de la que Infineon Technologies es pionera. La serie CoolMOS CM8 de 600 V es la sucesora de la CoolMOS 7. Combina las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida con una excelente facilidad de uso, por ejemplo, baja tendencia al ringing, diodo de cuerpo rápido implementado en todos los productos, con una extraordinaria robustez frente a la conmutación dura y excelente capacidad ESD. Además, las pérdidas por conmutación y conducción extremadamente bajas del CM8 hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes.
Apto para topologías de conmutación dura y suave
Facilidad de uso y diseño rápido gracias a la baja tendencia a la oscilación
Gestión térmica simplificada gracias a nuestra avanzada técnica de fijación de chip
Apto para una amplia variedad de aplicaciones y gamas de potencia
Soluciones de mayor densidad de potencia gracias al uso de productos de menor tamaño
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