MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPDQ60T017S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 113.3 A, Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines

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Código RS:
348-997
Referência do fabricante:
IPDQ60T017S7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

113.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

IPD

Encapsulado

PG-HDSOP-22

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

22

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

500W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

196nC

Tensión directa Vf

0.82V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS, JEDEC, JS-001

COO (País de Origem):
MY
El CoolMOS S7T de Infineon ofrece las mejores prestaciones en precio para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. El sensor de temperatura integrado aumenta la precisión y robustez de la detección de la temperatura de unión, al tiempo que mantiene una implementación sencilla y sin problemas. CoolMOS S7T está optimizado para aplicaciones de conmutación estática y alta corriente. El nuevo sensor de temperatura mejora las prestaciones del S7, lo que permite aprovechar al máximo el transistor de potencia.

Mayor rendimiento del sistema

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Diseño más compacto y sencillo

Menor lista de materiales (BOM) o coste total de propiedad (TCO) durante una vida útil prolongada

Más fiabilidad y mayor vida útil del sistema

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