MOSFET, N-Canal Infineon IMYH200R024M1HXKSA1, VDSS 2000 V, ID 89 A, Mejora, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 de 4 pines
- Código RS:
- 284-862
- Referência do fabricante:
- IMYH200R024M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-862
- Referência do fabricante:
- IMYH200R024M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 89A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 2000V | |
| Encapsulado | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Serie | CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 35mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 137nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 576W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 89A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 2000V | ||
Encapsulado PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Serie CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 35mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 137nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 576W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
MOSFET de la serie Trench SiC CoolSiC de 2000 V de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 2000 V, corriente de drenaje continua máxima de 89 A - IMYH200R024M1HXKSA1
Este MOSFET es un transistor de potencia de carburo de silicio diseñado para conmutación de alta tensión en entornos electrónicos de potencia exigentes. Funciona como dispositivo de mejora de canal N y se suministra en un encapsulado de orificio pasante PG-TO-247-4 que facilita un montaje robusto y la extracción de calor en montajes industriales. El componente está diseñado para aplicaciones que requieren altas tensiones de bloqueo y un manejo de corriente sostenido en un amplio rango de temperaturas.
Características y ventajas:
• Resistencia a la fuente de drenaje de 2000 V para sistemas de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 89 A para un funcionamiento de carga pesada
• Rds(on) de 35 mΩ para minimizar las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia máxima de 576 W para mayor resistencia térmica
• Carga de puerta típica de 137 nC en Vgs para informar sobre el tamaño de la unidad
• Funciona de –55 a 175 °C para amplios márgenes de temperatura
• Corriente de drenaje continua de 89 A para un funcionamiento de carga pesada
• Rds(on) de 35 mΩ para minimizar las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia máxima de 576 W para mayor resistencia térmica
• Carga de puerta típica de 137 nC en Vgs para informar sobre el tamaño de la unidad
• Funciona de –55 a 175 °C para amplios márgenes de temperatura
Aplicaciones
• Apto para etapas de alta tensión de inversor de tracción
• Ideal para equipos de conversión de potencia a escala de servicios públicos
• Se utiliza con módulos de convertidor dc-dc de alta tensión
• Puede utilizarse para accionamientos y controladores de motores industriales
• Apto para diseños de disyuntores de estado sólido
• Ideal para equipos de conversión de potencia a escala de servicios públicos
• Se utiliza con módulos de convertidor dc-dc de alta tensión
• Puede utilizarse para accionamientos y controladores de motores industriales
• Apto para diseños de disyuntores de estado sólido
¿Qué formato de montaje requiere para el montaje?
Se suministra en un encapsulado de orificio pasante PG-TO-247-4 que requiere un disipador térmico compatible y un montaje seguro para lograr una disipación de potencia especificada.
¿Qué limitaciones de accionamiento de puerta deben observarse?
La tensión máxima de puerta a fuente es de 20 V, por lo que los controladores de puerta deben limitar Vgs a ese valor para evitar daños.
¿Cómo se comporta el dispositivo térmicamente con cargas elevadas?
El transistor puede disipar hasta 576 W con una refrigeración adecuada
la gestión térmica debe diseñarse para mantener las temperaturas de unión dentro de los límites de funcionamiento.
¿Es adecuado para proyectos de automoción?
No está especificado para cumplir los estándares de automoción y no debe seleccionarse cuando se requiera una certificación de automoción.
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