MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMYH200R024M1HXKSA1, VDSS 2000 V, ID 89 A, Mejora, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 de 4 pines
- Código RS:
- 284-864
- Referência do fabricante:
- IMYH200R024M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-864
- Referência do fabricante:
- IMYH200R024M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 89A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 2000V | |
| Encapsulado | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Serie | CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 35mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 576W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 137nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 89A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 2000V | ||
Encapsulado PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Serie CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 35mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 576W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 137nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
El MOSFET de tren de SiC CoolSiC de 2.000 V de Infineon representa una solución de vanguardia diseñada para aplicaciones de alto rendimiento. Diseñado con tecnología de interconexión avanzada .XT, garantiza una gestión térmica y eficiencia óptimas, lo que lo convierte en ideal para entornos exigentes. Con un diodo de cuerpo robusto, el MOSFET sobresale en condiciones de conmutación difíciles, proporcionando un funcionamiento fiable en diversas aplicaciones, incluidos inversores de cadena y sistemas de carga EV. Sus impresionantes especificaciones, que incluyen una corriente de drenaje continua de hasta 89 A, subrayan su capacidad de manejar cargas de potencia significativas, mientras que sus bajas pérdidas de conmutación contribuyen a la eficiencia general del sistema. Este dispositivo ha sido rigurosamente validado para aplicaciones industriales, lo que garantiza la adhesión a los estándares del sector y la fiabilidad.
Funciona a alta tensión de 2.000 V
Resistencia de estado encendido muy baja para mayor eficiencia
Tensión de umbral de puerta de referencia para rendimiento
Funcionamiento robusto con diodo de cuerpo bien diseñado
Validado para uso industrial a través de pruebas JEDEC
Admite un rendimiento térmico óptimo a través del diseño
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