MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ113N10NM5LF2ATMA1, VDSS 100 V, ID 63 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

9,13 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 5000 unidade(s) para enviar a partir do dia 30 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 - 451,826 €9,13 €
50 - 951,736 €8,68 €
100 - 4951,608 €8,04 €
500 - 9951,478 €7,39 €
1000 +1,426 €7,13 €

*preço indicativo

Código RS:
349-154
Referência do fabricante:
ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

63A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PG-TSDSON-8

Serie

ISZ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

100W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
MY
Este OptiMOS Linear FET de Infineon es un enfoque revolucionario que resuelve la disyuntiva entre resistencia en estado encendido y capacidad en modo lineal. Combinado con el encapsulado PQFN 3,3 x 3,3 de bajo coste y perfil, está pensado para el arranque suave y la limitación de corriente en aplicaciones de alimentación a través de Ethernet (PoE).

Amplia zona de funcionamiento seguro

RDS(on) baja

Máxima corriente de impulso alta

Máxima corriente continua alta

Disponible en paquete pequeño de perfil bajo

Links relacionados