MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE030N06NM5SCATMA1, VDSS 60 V, ID 132 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-759
- Referência do fabricante:
- IQE030N06NM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-759
- Referência do fabricante:
- IQE030N06NM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 132A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PG-WHSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 132A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PG-WHSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia optimos 5 diseñado para sobresalir en aplicaciones de rectificación síncrona, ofreciendo un rendimiento y eficiencia inigualables. Con un diseño robusto y capacidades de gestión térmica ART, este MOSFET de potencia garantiza un funcionamiento fiable en entornos exigentes. Su resistencia térmica superior lo convierte en una excelente opción para diversas aplicaciones industriales, lo que garantiza que sus sistemas funcionen con la máxima fiabilidad y una pérdida de potencia mínima. Completamente conforme con las normativas RoHS, este componente prioriza la compatibilidad con el medio ambiente al tiempo que mantiene una funcionalidad excepcional.
Rectificación síncrona de alta eficiencia
Configuración de canal N para un rendimiento eficaz
Fiabilidad 100% probada contra avalanchas
Materiales sin halógenos para una eliminación más segura
Compatible con un amplio rango de temperaturas industriales
La resistencia de estado de conexión mínima reduce la pérdida de potencia
Conformidad con RoHS para sostenibilidad ambiental
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