MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQD020N10NM5SCATMA1, VDSS 100 V, ID 276 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 351-912
- Referência do fabricante:
- IQD020N10NM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
11,31 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 5000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,655 € | 11,31 € |
| 20 - 198 | 5,095 € | 10,19 € |
| 200 - 998 | 4,695 € | 9,39 € |
| 1000 - 1998 | 4,355 € | 8,71 € |
| 2000 + | 3,905 € | 7,81 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 351-912
- Referência do fabricante:
- IQD020N10NM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 276A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | IQD0 | |
| Encapsulado | PG-WHSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.05mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 107nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 6 mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 276A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie IQD0 | ||
Encapsulado PG-WHSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.05mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 107nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 6 mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este MOSFET de potencia de Infineon viene con una baja RDS(on) de 2,05 mΩ combinada con un rendimiento térmico excepcional para una fácil gestión de las pérdidas de energía. Además, con el paquete de refrigeración de doble cara se puede disipar cinco veces más potencia que con el encapsulado sobremoldeado. Esto permite una mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia para una gran variedad de aplicaciones finales.
Tecnología de silicio de 100 V de vanguardia
FOM destacados
Rendimiento térmico mejorado
Parásitos ultrabajos
Relación chip/paquete maximizada
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE050N08NM5SCATMA1, VDSS 80 V, ID 99 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE030N06NM5SCATMA1, VDSS 60 V, ID 132 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE046N08LM5SCATMA1, VDSS 80 V, ID 99 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE022N06LM5SCATMA1, VDSS 60 V, ID 151 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQD063N15NM5SCATMA1, VDSS 150 V, ID 151 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQDH29NE2LM5SCATMA1, VDSS 25 V, ID 789 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQD020N10NM5CGSCATMA1, VDSS 100 V, ID 276 A, Mejora, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 310 A, Mejora, WHSON de 8 pines