Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQD063N15NM5SCATMA1, VDSS 150 V, ID 151 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines

Código RS:: 351-914
Referência do fabricante:: IQD063N15NM5SCATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQD063N15NM5SCATMA1, VDSS 150 V, ID 151 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines

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Código RS:: 351-914
Referência do fabricante:: IQD063N15NM5SCATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	151A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	150V
	Encapsulado	PG-WHSON-8
	Serie	IQD0
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	6.32mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	333W
	Tensión directa Vf	1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	48nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	6 mm
	Longitud	5mm
	Certificaciones y estándares	RoHS, JEDEC, Halogen‐Free According to IEC61249‐2‐21
	Altura	0.75mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 151A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V
	Encapsulado PG-WHSON-8
	Serie IQD0
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.32mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 333W
	Tensión directa Vf 1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 48nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 6 mm
	Longitud 5mm
	Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC, Halogen‐Free According to IEC61249‐2‐21
	Altura 0.75mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - IQD063N15NM5SCATMA1

COO (País de Origem):: MY

Este MOSFET de potencia de Infineon viene con una baja RDS(on) de 6,32 mΩ combinada con un rendimiento térmico excepcional para una fácil gestión de las pérdidas de energía. Además, con el paquete de refrigeración de doble cara se puede disipar cinco veces más potencia que con el encapsulado sobremoldeado. Esto permite una mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia para una gran variedad de aplicaciones finales.

Tecnología de silicio de 150 V de vanguardia

FOM destacados

Rendimiento térmico mejorado

Parásitos ultrabajos

Relación chip/paquete maximizada

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQD063N15NM5SCATMA1, VDSS 150 V, ID 151 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines

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