MOSFET, N-Canal Infineon IMLT65R033M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 68 A, PG-HDSOP-16, Mejora de 16 pines

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Código RS:
351-949
Referência do fabricante:
IMLT65R033M2HXTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

68A

Potencia de salida

312W

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PG-HDSOP-16

Serie

IMLT65

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

16

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

10.3mm

Certificaciones y estándares

JEDEC

Longitud

10.1mm

Altura

2.35mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
MY
Este MOSFET CoolSiC discreto de Infineon de segunda generación (G2) en TOLT aprovecha el excelente rendimiento de conmutación de segunda generación, a la vez que ofrece todas las ventajas de la refrigeración por la parte superior. Como complemento del encapsulado Q-DPAK, ahora se puede implementar una completa solución de refrigeración superior discreta, lo que permite obtener un mejor rendimiento térmico, una reducción y simplificación de los costes del sistema y un montaje más económico.

Permite ahorros en la lista de materiales (BOM)

Máxima fiabilidad

Máxima eficiencia y densidad energética

Simplifica el montaje y la refrigeración

Preparado para refrigeración líquida

Permite diseños sin ventilador ni disipador

Inductancias parásitas más bajas

Mejor control de puerta

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