MOSFET, N-Canal Infineon IMLT65R060M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 96 A, Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- Código RS:
- 349-053
- Referência do fabricante:
- IMLT65R060M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 349-053
- Referência do fabricante:
- IMLT65R060M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 96A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-HDSOP-16 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 16 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 96A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-HDSOP-16 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 16 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este MOSFET CoolSiC 650 V G2 de Infineon se basa en la robusta tecnología de trincheras de carburo de silicio de 2.ª generación de Infineon, lo que proporciona un rendimiento incomparable, una fiabilidad superior y una excelente facilidad de uso. Diseñado para satisfacer las demandas de los sistemas de energía modernos, este MOSFET permite diseños rentables, altamente eficientes y simplificados. Es la solución ideal para hacer frente a las necesidades cada vez mayores de los sistemas y mercados energéticos, ya que ofrece tanto alto rendimiento como eficiencia energética para una amplia gama de aplicaciones.
Pérdidas por conmutación ultrabajas
Robusto contra encendido parásito incluso con una tensión de puerta de apagado de 0 V
Tensión de excitación flexible y compatible con el esquema de control bipolar
Funcionamiento robusto del diodo de cuerpo en caso de conmutación dura
Tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su categoría
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