MOSFET ROHM, Tipo N, Tipo P-Canal HP8ME5TB1, VDSS 100 V, HSOP-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Dual (Nch+Pch)

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Opções de embalagem:
Código RS:
264-877
Referência do fabricante:
HP8ME5TB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

HP8K

Encapsulado

HSOP-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

273mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Dual (Nch+Pch)

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia ROHM presenta una configuración de doble canal N con una tensión nominal de 100 V y una capacidad de corriente de 8,5 A. Diseñado en un encapsulado HSOP8 y ofrece una baja resistencia a la conexión.

Baja resistencia

Encapsulado de montaje superficial pequeño (HSOP8)

Revestimiento de plomo sin Pb y conforme a RoHS

Sin halógenos

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