MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD2NK100Z, VDSS 1000 V, ID 85 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 151-902
- Referência do fabricante:
- STD2NK100Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 10 unidades)*
17,76 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 1880 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,776 € | 17,76 € |
| 100 - 240 | 1,684 € | 16,84 € |
| 250 - 490 | 1,564 € | 15,64 € |
| 500 - 990 | 1,44 € | 14,40 € |
| 1000 + | 1,382 € | 13,82 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 151-902
- Referência do fabricante:
- STD2NK100Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 85A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1000V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 70W | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 159°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 85A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1000V | ||
Serie SuperMESH | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 70W | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 159°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics es un dispositivo de alta tensión con canal N con protección Zener desarrollado utilizando la tecnología SuperMESH, una optimización del PowerMESH bien establecido. Además de una reducción significativa de la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
Carga de puerta minimizada
Capacitancia intrínseca muy baja
Protegido por Zener
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD2NK100Z, VDSS 1000 V, ID 85 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -40 V, ID -85 A, Mejora, TO-252
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPD85P04P407ATMA2, VDSS -40 V, ID -85 A, Mejora, TO-252
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 85 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 10 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 3 pines