MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1 kV, ID 2.2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 165-8050
- Referência do fabricante:
- STD4NK100Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
3 200,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 14 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,28 € | 3 200,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 165-8050
- Referência do fabricante:
- STD4NK100Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1kV | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.8Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 90W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Anchura | 6.2 mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1kV | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.8Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 90W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.6mm | ||
Anchura 6.2 mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD4NK100Z, VDSS 1 kV, ID 2.2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 2.2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50R2K0CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 2.2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FQD2N100TM, VDSS 1 kV, ID 1.6 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1 kV, ID 1.85 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STU2NK100Z, VDSS 1 kV, ID 1.85 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines