MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD5NK50ZT4, VDSS 500 V, ID 4.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 151-461
- Referência do fabricante:
- STD5NK50ZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 fita de 20 unidades)*
26,64 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 2040 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 1,332 € | 26,64 € |
| 200 - 480 | 1,265 € | 25,30 € |
| 500 - 980 | 1,171 € | 23,42 € |
| 1000 - 1980 | 1,08 € | 21,60 € |
| 2000 + | 1,039 € | 20,78 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 151-461
- Referência do fabricante:
- STD5NK50ZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 2.4mm | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie SuperMESH | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 2.4mm | ||
Longitud 10.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, que se consigue mediante la optimización de una disposición de Power MESH bien establecida. Además de una reducción significativa de la resistencia, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta minimizada
Capacitancia intrínseca muy baja
Protección Zener
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD5NK50ZT4, VDSS 500 V, ID 4.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 850 V, ID 4.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHD5N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 4.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 500 V, ID 2.3 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD3NK50ZT4, VDSS 500 V, ID 2.3 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 10 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines