MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

4 335,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 2500 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
2500 +1,734 €4 335,00 €

*preço indicativo

Código RS:
168-7560
Referência do fabricante:
STD16N65M5
Fabricante:
STMicroelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

MDmesh M5

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

279mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.4mm

Longitud

6.6mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.2 mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics


El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


Links relacionados