FRAM Infineon FM24CL04B-G, 8 pines, SOIC-8, Serie I2C, 4 kB, 512 x 8 bits, 3.65V, 2.7 V
- Código RS:
- 273-7378
- Referência do fabricante:
- FM24CL04B-G
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-7378
- Referência do fabricante:
- FM24CL04B-G
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 4kB | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Organización | 512 x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | Serie I2C | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 1MHZ | |
| Encapsulado | SOIC-8 | |
| Número de pines | 8 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.65V | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 4kB | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Organización 512 x 8 bits | ||
Tipo de interfaz Serie I2C | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 1MHZ | ||
Encapsulado SOIC-8 | ||
Número de pines 8 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Tensión de alimentación máxima 3.65V | ||
Estándar de automoción No | ||
La FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 4 Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FRAM es no volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una memoria RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complejidades, las sobrecargas y los problemas de fiabilidad a nivel del sistema causados por la EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de la EEPROM, realiza operaciones de escritura a velocidad de bus. No se producen retrasos de escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiera con éxito al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin la necesidad de transmitir datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles.
Conformidad con RoHS
Bajo consumo de potencia
Interfaz serial rápida de 2 cables
Alta resistencia con 100 billones de lecturas y escrituras
Proceso ferroeléctrico avanzado de alta fiabilidad
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