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    AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM24CL64B-G, 8 pines, SOIC, El Cable 2 de serie, Serial-I2C, 64kbit, 8K x 8 bits, 550ns,

    Código RS:
    125-4213
    Referência do fabricante:
    FM24CL64B-G
    Fabricante:
    Infineon
    Infineon
    Ver tudo Memoria FRAM
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    Adicionado

    Preço unitário (Fornecido em múltiplos de 2)

    3,345 €

    unidadesPor unidadePor Pack*
    2 - 83,345 €6,69 €
    10 - 382,52 €5,04 €
    40 - 982,39 €4,78 €
    100 +2,245 €4,49 €
    *preço indicativo
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    125-4213
    Referência do fabricante:
    FM24CL64B-G
    Fabricante:
    Infineon

    Legislação e Conformidade


    Detalhes do produto

    F-RAM de Cypress Semiconductor


    La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

    Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
    Rápida velocidad de escritura
    Alta resistencia
    Bajo consumo

    Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 64 Kbit (F-RAM) organizada lógicamente como 8K ´ 8
    Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
    retención de datos de 151 años
    NODELAY™ escribe
    proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
    Interfaz serie rápida de 2 cables (I2C)
    Frecuencia de hasta 1 MHz
    Sustitución directa de hardware para la memoria EEPROM serie (I2C)
    Admite tiempos heredados de 100 kHz y 400 kHz
    Bajo consumo
    100 μA (típ) de corriente activa a 100 kHz
    Corriente en espera de 3 μA (típ)
    Tensión de funcionamiento: VDD = 2,7 V a 3,65 V.
    Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
    Paquetes
    Paquete de circuito integrado (SOIC) de perfil pequeño de 8 pines
    Encapsulado DFN (sin cables planos dobles delgados de 8 pines)


    FRAM (RAM ferroeléctrica)


    FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.

    Especificações

    AtributoValor
    Tamaño de la Memoria64kbit
    Organización8K x 8 bits
    Tipo de InterfazEl Cable 2 de serie, Serial-I2C
    Ancho del Bus de Datos8bit
    Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo550ns
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Tipo de EncapsuladoSOIC
    Conteo de Pines8
    Dimensiones4.97 x 3.98 x 1.48mm
    Longitud4.97mm
    Ancho3.98mm
    Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento3,65 V
    Altura1.48mm
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+85 °C
    Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima2,7 V
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-40 °C
    Número de Palabras8K
    Estándar de automociónAEC-Q100
    Número de Bits de Palabra8bit
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