AEC-Q100 FRAM Infineon FM24CL04B-GTR, 8 pines, SOIC, 4 kB, 512M x 8 bits, 550 ns, 3.65V, 2.7 V

Esta FRAM es un dispositivo de memoria no volátil diseñado para el almacenamiento de datos de baja potencia en sistemas integrados y de automoción. Funciona dentro de un rango de alimentación única típico y proporciona acceso a datos de ancho de byte para firmware, tablas de calibración y tareas de registro en diseños de montaje en superficie con espacio limitado. El componente cumple los requisitos de tensión de automoción y es adecuado para usar en un amplio rango de temperaturas industriales.

• Bus de datos de 8 bits que permite una interfaz por byte sencilla y actualizaciones de firmware
• Reloj de 1 MHz que admite acceso serie oportuno para sistemas de control
• tiempo máximo de acceso aleatorio de 550 ns que reduce la latencia de lectura en tareas en tiempo real
• Funciona de 2,7 a 3,65 V, lo que proporciona compatibilidad con carriles de alimentación comunes
• La certificación AEC-Q100 permite el despliegue en módulos electrónicos de automoción
• Encapsulado SOIC de montaje en superficie que permite el montaje automatizado en placas de circuito impreso compactas

• Adecuado para el almacenamiento de parámetros de nodos CAN de automoción
• Ideal para instrumentación que requiere escrituras no volátiles frecuentes
• Se utiliza con sistemas de microcontrolador para la retención de datos de calibración
• Puede utilizarse para el registro de eventos en equipos de control industrial
• Se utiliza para el búfer de datos de batería de bajo consumo en sensores

El dispositivo funciona con una alimentación mínima de 2,7 V hasta un máximo de 3,65 V, lo que permite a los diseñadores seleccionar reguladores y umbrales de supervisión que mantengan un funcionamiento fiable dentro de esa ventana.

Está especificado para funcionar entre -40 °C y 85 °C, lo que garantiza un comportamiento eléctrico predecible para aplicaciones que abarcan entornos térmicos industriales y de automoción.

El encapsulado es un SOIC de montaje en superficie con un número de contactos de 8, por lo que la separación de huella y el control del filete de soldadura deben seguir las prácticas de montaje SOIC estándar para mantener la integridad mecánica y térmica.

La memoria está organizada en 512 millones de palabras por 8 bits, lo que proporciona un número total de ubicaciones de 8 bits direccionables adecuadas para necesidades de almacenamiento no volátil compacto.