FRAM Infineon FM25CL64B-DG, 8 pines, DFN, SPI, 64 kB, 8K x 8 bits, 20 ns, 3.65V, 2.7 V
- Código RS:
- 125-4221
- Referência do fabricante:
- FM25CL64B-DG
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
9,24 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,62 € | 9,24 € |
| 10 - 48 | 4,16 € | 8,32 € |
| 50 + | 3,89 € | 7,78 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 125-4221
- Referência do fabricante:
- FM25CL64B-DG
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 64kB | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Organización | 8K x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 20ns | |
| Frecuencia del reloj máxima | 20MHZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | DFN | |
| Número de pines | 8 | |
| Longitud | 4.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 750μm | |
| Anchura | 4mm | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Número de palabras | 8K | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.65V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 64kB | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Organización 8K x 8 bits | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 20ns | ||
Frecuencia del reloj máxima 20MHZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado DFN | ||
Número de pines 8 | ||
Longitud 4.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 750μm | ||
Anchura 4mm | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Número de palabras 8K | ||
Tensión de alimentación máxima 3.65V | ||
Estándar de automoción No | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (RAM ferroeléctrica)
FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.
Links relacionados
- FRAM Infineon, 8 pines, DFN, SPI, 64 kB, 8K x 8 bits, 20 ns, 3.65V, 2.7 V
- FRAM Infineon FM25CL64B-GTR, 8 pines, SOIC, Serie SPI, 64 kB, 8K x 8 bits, 3.65V, 2.7 V
- AEC-Q100 FRAM Infineon FM25CL64B-G, 8 pines, SOIC, SPI, 64 kB, 8K x 8 bits, 20 ns, 3.65V, 2.7 V
- FRAM Infineon, 8 pines, SOIC, Serie SPI, 64 kB, 8K x 8 bits, 3.65V, 2.7 V
- AEC-Q100 FRAM Infineon, 8 pines, SOIC, SPI, 64 kB, 8K x 8 bits, 20 ns, 3.65V, 2.7 V
- AEC-Q100 FRAM Infineon FM24CL16B-DG, 8 pines, DFN, I2C de 2 cables, 16 kB, 2K x 8 bits, 3000 ns, 3.65V, 2.7 V
- AEC-Q100 FRAM Infineon, 8 pines, DFN, I2C de 2 cables, 16 kB, 2K x 8 bits, 3000 ns, 3.65V, 2.7 V
- AEC-Q100 FRAM Infineon, 8 pines, SOIC, I2C de 2 cables, 64 kB, 8K x 8 bits, 550 ns, 3.65V, 2.7 V