Referência do fabricante

AEC-Q100 FRAM Infineon FM25V02A-DG, 8 pines, DFN, SPI, 256 kB, 32K x 8 bits, 16 ns, 3.6V, 2 V

Código RS:: 124-2986
Referência do fabricante:: FM25V02A-DG
Fabricante:: Infineon

AEC-Q100 FRAM Infineon FM25V02A-DG, 8 pines, DFN, SPI, 256 kB, 32K x 8 bits, 16 ns, 3.6V, 2 V

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Código RS:: 124-2986
Referência do fabricante:: FM25V02A-DG
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	FRAM
	Tamaño de la memoria	256kB
	Organización	32K x 8 bits
	Tipo de interfaz	SPI
	Ancho del bus de datos	8bit
	Tiempo de acceso aleatorio máximo	16ns
	Frecuencia del reloj máxima	40MHZ
	Tipo de montaje	Superficie
	Encapsulado	DFN
	Número de pines	8
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	0.75mm
	Longitud	4.5mm
	Anchura	4mm
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Tensión de alimentación máxima	3.6V
	Número de palabras	32k
	Número de bits por palabra	8
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Estándar de automoción	AEC-Q100
	Tensión de alimentación mínima	2V

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de producto FRAM
	Tamaño de la memoria 256kB
	Organización 32K x 8 bits
	Tipo de interfaz SPI
	Ancho del bus de datos 8bit
	Tiempo de acceso aleatorio máximo 16ns
	Frecuencia del reloj máxima 40MHZ
	Tipo de montaje Superficie
	Encapsulado DFN
	Número de pines 8
	Certificaciones y estándares No
	Altura 0.75mm
	Longitud 4.5mm
	Anchura 4mm
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Tensión de alimentación máxima 3.6V
	Número de palabras 32k
	Número de bits por palabra 8
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Estándar de automoción AEC-Q100
	Tensión de alimentación mínima 2V

FM25V02A Datasheet

FRAM, Cypress Semiconductor

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil

Rápida velocidad de escritura

Alta resistencia

Bajo consumo

FRAM (RAM ferroeléctrica)

FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.

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