F-RAM serie (SPI) Infineon, 8 pines, SOIC, Serie SPI, 256 kB, 32K x 8 bits, 3.6V, 2 V
- Código RS:
- 273-7389
- Referência do fabricante:
- FM25V02A-G
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-7389
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- FM25V02A-G
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 256kB | |
| Tipo de producto | F-RAM serie (SPI) | |
| Organización | 32K x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | Serie SPI | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 40MHZ | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 8 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión de alimentación mínima | 2V | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Número de palabras | 32k | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 256kB | ||
Tipo de producto F-RAM serie (SPI) | ||
Organización 32K x 8 bits | ||
Tipo de interfaz Serie SPI | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 40MHZ | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 8 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión de alimentación mínima 2V | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Número de palabras 32k | ||
La FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 256 Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FRAM es no volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una memoria RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complejidades, la sobrecarga y los problemas de fiabilidad a nivel del sistema causados por el flash en serie, la EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia del flash serie y la EEPROM, realiza operaciones de escritura a velocidad de bus. No se producen retrasos de escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiera con éxito al dispositivo. El siguiente ciclo de autobuses puede comenzar sin la necesidad de encuestas de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles.
Conforme a RoHS
Bajo consumo de energía
Interfaz periférica serie muy rápida
Esquema de protección de escritura sofisticado
Alta resistencia: 100 billones de lecturas y escrituras
Proceso ferroeléctrico avanzado de alta fiabilidad
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