onsemi JFET, J111, N-Canal, JFET-Canal, Simple 20 mA, TO-92, 3 pines
- Código RS:
- 806-1753
- Referência do fabricante:
- J111
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 806-1753
- Referência do fabricante:
- J111
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo Sub | JFET | |
| Tipo de producto | JFET | |
| Configuración | Simple | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 350mW | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 30Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Número de pines | 3 | |
| Corriente de fuente de drenaje Ids | 20 mA | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -35V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.19mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 5.33mm | |
| Longitud | 5.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo Sub JFET | ||
Tipo de producto JFET | ||
Configuración Simple | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 350mW | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 30Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Número de pines 3 | ||
Corriente de fuente de drenaje Ids 20 mA | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -35V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.19mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 5.33mm | ||
Longitud 5.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El on Semiconductor J111 es un transistor de picador JFET diseñado para aplicaciones de conmutación analógica y picador. La fuente y el drenaje son intercambiables.
El transistor J111 viene en un TO-92 paquete de 3 pines a través del agujero.
Versiones disponibles:
806-1753 - paquete de 50
166-2910 - bolsa de 10.000
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)
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