JFET, J109, N-Canal, Único, TO-92, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 806-1750
- Referência do fabricante:
- J109
- Fabricante:
- onsemi
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|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,372 € | 9,30 € |
| 100 - 225 | 0,321 € | 8,03 € |
| 250 - 475 | 0,278 € | 6,95 € |
| 500 + | 0,244 € | 6,10 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 806-1750
- Referência do fabricante:
- J109
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss | min. 40mA | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -25 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Drenador | 25V | |
| Configuración | Único | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 12 Ω | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Encapsulado | TO-92 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Capacidad Drenador-Fuente | 85pF | |
| Capacidad Fuente-Puerta | 85pF | |
| Dimensiones | 4.58 x 3.86 x 4.58mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Altura | 4.58mm | |
| Longitud | 4.58mm | |
| Ancho | 3.86mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss min. 40mA | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -25 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Drenador 25V | ||
Configuración Único | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 12 Ω | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Encapsulado TO-92 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Capacidad Drenador-Fuente 85pF | ||
Capacidad Fuente-Puerta 85pF | ||
Dimensiones 4.58 x 3.86 x 4.58mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Altura 4.58mm | ||
Longitud 4.58mm | ||
Ancho 3.86mm | ||
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)
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