onsemi JFET, MMBFJ309LT1G, N-Canal, JFET-Canal, 25 V, Simple 12 → 30 mA, SOT-23, 3 pines

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Código RS:
163-0964
Referência do fabricante:
MMBFJ309LT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo Sub

JFET

Tipo de producto

JFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Configuración

Simple

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

SOT-23

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Número de pines

3

Corriente de fuente de drenaje Ids

12 → 30 mA

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Disipación de potencia máxima Pd

225mW

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.4mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.01mm

Longitud

3.04mm

Estándar de automoción

No

JFET de canal N, ON Semiconductor


Transistores JFET


Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)

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