IGBT, NGTB40N120FLWG, N-Canal, 80 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple

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Código RS:
773-7406
Referência do fabricante:
NGTB40N120FLWG
Fabricante:
ON Semiconductor
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Marca

ON Semiconductor

Corriente Máxima Continua del Colector

80 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

260 W

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

16.26 x 5.3 x 21.08mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Discretos IGBT, ON Semiconductor


Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.


Discretos IGBT, ON Semiconductor


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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