IGBT, IXDN55N120D1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines, 1MHZ Simple
- Código RS:
- 804-7616
- Referência do fabricante:
- IXDN55N120D1
- Fabricante:
- IXYS
A imagem representada pode não ser a do produto
Indisponível
A RS já não fará a reposição deste artigo.
- Código RS:
- 804-7616
- Referência do fabricante:
- IXDN55N120D1
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 100 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 450 W | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-227B | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 4 | |
| Velocidad de Conmutación | 1MHZ | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 38.2 x 25.07 x 9.6mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 100 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 450 W | ||
Tipo de Encapsulado SOT-227B | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 4 | ||
Velocidad de Conmutación 1MHZ | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 38.2 x 25.07 x 9.6mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Discretos IGBT, IXYS
IGBT discretos y módulos, IXYS
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Links relacionados
- IGBT, IXA60IF1200NA, N-Canal, 88 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines Simple
- IGBT, IXA70I1200NA, N-Canal, 100 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines Simple
- IGBT, IXYN100N120C3, N-Canal, 152 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines, 20 → 50kHz Simple
- IGBT, IXYN100N120C3H1, N-Canal, 134 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines, 20 → 50kHz Simple
- IGBT, IXYN82N120C3H1, N-Canal, 105 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines, 20 → 50kHz Simple
- IGBT, NGTB25N120FL3WG, N-Canal, 100 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT, IKW40N120T2FKSA1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT, IGW60T120FKSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple