IGBT, FGH75T65UPD_F085, N-Canal, 150 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 124-1447
- Referência do fabricante:
- FGH75T65UPD_F085
- Fabricante:
- Fairchild Semiconductor
Indisponível
A RS já não fará a reposição deste artigo.
- Código RS:
- 124-1447
- Referência do fabricante:
- FGH75T65UPD_F085
- Fabricante:
- Fairchild Semiconductor
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Fairchild Semiconductor | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 150 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 375 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 15.6 x 4.7 x 20.6mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Fairchild Semiconductor | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 150 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 375 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 15.6 x 4.7 x 20.6mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
- COO (País de Origem):
- KR
IGBT para automoción, Fairchild Semiconductor
Una gama de IGBT Field Stop Trench de Fairchild Semiconductor que se ha sometido a pruebas de tensión y cumple con la norma AEC-Q101.
Características
• Coeficiente de temperatura positivo para facilitar el funcionamiento en paralelo
• Capacidad de corriente alta
• Tensión de saturación baja
• Alta impedancia de entrada
• Distribución de parámetros estrecha
• Capacidad de corriente alta
• Tensión de saturación baja
• Alta impedancia de entrada
• Distribución de parámetros estrecha
Códigos de producto RS
864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600V 20A D2PAK-2
864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600V 40A TO247
864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600V 60A TO247
135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263
135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263 (Paquete de 800)
864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247
124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247 (Paquete de 30)
Nota
Corrientes nominales aplicables cuando la temperatura de la conexión = +100 °C.
Estándares
AEC-Q101
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Links relacionados
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