Semikron Danfoss Módulo IGBT, SKM100GB125DN Medio puente doble, N-Canal, 100 A, 1.2 kV, SEMITRANS, 7 pines 2 Panel
- Código RS:
- 468-2410
- Referência do fabricante:
- SKM100GB125DN
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
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- Código RS:
- 468-2410
- Referência do fabricante:
- SKM100GB125DN
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Semikron Danfoss | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 100A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1.2kV | |
| Número de transistores | 2 | |
| Encapsulado | SEMITRANS | |
| Configuración | Medio puente doble | |
| Tipo de montaje | Panel | |
| Tipo de canal | N | |
| Número de pines | 7 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 3.85V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 30.5mm | |
| Longitud | 94.5mm | |
| Anchura | 34.5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Semikron Danfoss | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 100A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1.2kV | ||
Número de transistores 2 | ||
Encapsulado SEMITRANS | ||
Configuración Medio puente doble | ||
Tipo de montaje Panel | ||
Tipo de canal N | ||
Número de pines 7 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 3.85V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 30.5mm | ||
Longitud 94.5mm | ||
Anchura 34.5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulos IGBT dobles
Una gama de módulos IGBT SEMITOP® de Semikron que incorpora dos dispositivos IGBT conectados en serie (medio puente). Los módulos están disponibles en una amplia gama de tensiones y corrientes nominales y son adecuados para una gran variedad de aplicaciones de conmutación de potencia como variadores de velocidad de motores de inversor ac y fuentes de alimentación ininterrumpida.
Encapsulado SEMITOP® compacto
Adecuado para frecuencias de conmutación de hasta 12 kHz
Placa base de cobre aislado mediante tecnología de cobre de unión directa
Módulos IGBT, Semikron
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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