Semikron Danfoss Módulo IGBT, SKM200GB126D, Tipo N-Canal, 260 A, 1200 V, SEMITRANS, 7 pines Panel 2

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Código RS:
468-2460
Número do artigo Distrelec:
171-00-313
Referência do fabricante:
SKM200GB126D
Fabricante:
Semikron Danfoss
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Marca

Semikron Danfoss

Corriente continua máxima de colector Ic

260A

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Número de transistores

2

Encapsulado

SEMITRANS

Tipo de montaje

Panel

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

7

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.1V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Temperatura de funcionamiento máxima

-40°C

Serie

SKM200GB126D

Certificaciones y estándares

No

Longitud

106.4mm

Anchura

61.4 mm

Altura

30mm

Estándar de automoción

No

Módulos IGBT dobles


Una gama de módulos IGBT SEMITOP® de Semikron que incorpora dos dispositivos IGBT conectados en serie (medio puente). Los módulos están disponibles en una amplia gama de tensiones y corrientes nominales y son adecuados para una gran variedad de aplicaciones de conmutación de potencia como variadores de velocidad de motores de inversor ac y fuentes de alimentación ininterrumpida.

Encapsulado SEMITOP® compacto

Adecuado para frecuencias de conmutación de hasta 12 kHz

Placa base de cobre aislado mediante tecnología de cobre de unión directa

Módulos IGBT, Semikron


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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