Referência do fabricante

Semikron Danfoss Módulo IGBT, SKM200GB126D, N-Canal, 260 A, 1.2 kV, SEMITRANS, 7 pines Panel 2

Código RS:: 468-2460
Número do artigo Distrelec:: 171-00-313
Referência do fabricante:: SKM200GB126D
Fabricante:: Semikron Danfoss

Semikron Danfoss Módulo IGBT, SKM200GB126D, N-Canal, 260 A, 1.2 kV, SEMITRANS, 7 pines Panel 2

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Código RS:: 468-2460
Número do artigo Distrelec:: 171-00-313
Referência do fabricante:: SKM200GB126D
Fabricante:: Semikron Danfoss

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Semikron Danfoss
	Tipo de producto	Módulo IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic	260A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	1.2kV
	Número de transistores	2
	Encapsulado	SEMITRANS
	Tipo de montaje	Panel
	Tipo de canal	N
	Número de pines	7
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT	2.1V
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	30mm
	Longitud	106.4mm
	Serie	SKM200GB126D
	Anchura	61.4mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Semikron Danfoss
	Tipo de producto Módulo IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic 260A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1.2kV
	Número de transistores 2
	Encapsulado SEMITRANS
	Tipo de montaje Panel
	Tipo de canal N
	Número de pines 7
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.1V
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 30mm
	Longitud 106.4mm
	Serie SKM200GB126D
	Anchura 61.4mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Módulos IGBT dobles

Una gama de módulos IGBT SEMITOP® de Semikron que incorpora dos dispositivos IGBT conectados en serie (medio puente). Los módulos están disponibles en una amplia gama de tensiones y corrientes nominales y son adecuados para una gran variedad de aplicaciones de conmutación de potencia como variadores de velocidad de motores de inversor ac y fuentes de alimentación ininterrumpida.

Encapsulado SEMITOP® compacto

Adecuado para frecuencias de conmutación de hasta 12 kHz

Placa base de cobre aislado mediante tecnología de cobre de unión directa

Módulos IGBT, Semikron

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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