STMicroelectronics IGBT, STGD4H60DF Colector único, 4 A, 600 V, TO-252, 3 pines 1 Superficie
- Código RS:
- 287-7044
- Referência do fabricante:
- STGD4H60DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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*preço indicativo
- Código RS:
- 287-7044
- Referência do fabricante:
- STGD4H60DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 4A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 75W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Configuración | Colector único | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.7V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 1.7mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Anchura | 6.7mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 4A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 75W | ||
Número de transistores 1 | ||
Configuración Colector único | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.7V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 1.7mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Anchura 6.7mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El interruptor de campo de puerta de trinchera de STMicroelectronics es un IGBT desarrollado utilizando una estructura de interruptor de campo de puerta de trinchera patentada avanzada. Este dispositivo forma parte de la serie H de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre conducción y pérdidas de conmutación para maximizar la eficiencia de los convertidores de alta frecuencia de conmutación. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada proporcionan un funcionamiento en paralelo más seguro.
Resistencia térmica baja
Valor nominal de cortocircuito
Diodo antiparalelo de recuperación suave y rápida
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