Bourns IGBT, 600 V, TO-252

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Código RS:
253-3499
Referência do fabricante:
BIDD05N60T
Fabricante:
Bourns
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Marca

Bourns

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

82W

Encapsulado

TO-252

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±30 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Serie

BIDD05N60T

Estándar de automoción

No

El dispositivo IGBT de Bourns combina tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar para un componente óptimo para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo utiliza la tecnología de puerta de trinchera de parada de campo que proporciona un mayor control de las características dinámicas con una tensión emisor-colector de saturación (VCE(sat)) más baja y menos pérdidas de conmutación. Además, esta estructura mejora la robustez del dispositivo.

600 V, 5 A, VCE (sat) bajo

Tecnología de puerta de trinchera de parada de campo

Optimizado para conducción

Robusto

Conforme con RoHS

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