Infineon CI de transistor único IGBT, IKD03N60RFATMA1, Tipo N-Canal, 6.5 A, 600 V, TO-252, 3 pines Superficie, 30 kHz
- Código RS:
- 226-6093
- Referência do fabricante:
- IKD03N60RFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 226-6093
- Referência do fabricante:
- IKD03N60RFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 6.5A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 53.6W | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 30kHz | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | TRENCHSTOP RC-DrivesFast | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 6.5A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 53.6W | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 30kHz | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie TRENCHSTOP RC-DrivesFast | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon IKD03N60RF es más fiable gracias a IGBT y diodo integrados monolíticamente gracias a un menor ciclo térmico durante la conmutación. Ofrece un rendimiento de conmutación suave que conduce a un bajo nivel EMI y su rango de funcionamiento es de 4 V a 30kHz A.
Distribución de parámetros muy ajustada
Temperatura de conexión máxima: 175 °C.
Capacidad de cortocircuito de 5μs
Links relacionados
- Infineon CI de transistor único IGBT, Tipo N-Canal, 6.5 A, 600 V, TO-252, 3 pines Superficie, 30 kHz
- Infineon CI de transistor único IGBT, 4 A, 600 V, PG-SOT223, 20 kHz
- Infineon CI de transistor único IGBT, IKN04N60RC2ATMA1, 4 A, 600 V, PG-SOT223, 20 kHz
- Infineon CI de transistor único IGBT, Tipo N-Canal, 12 A, 600 V, TO-252, 3 pines Superficie
- Infineon CI de transistor único IGBT, IGD06N60TATMA1, Tipo N-Canal, 12 A, 600 V, TO-252, 3 pines Superficie
- Infineon CI de transistor único IGBT, 28 A, 650 V, TO-220
- Infineon CI de transistor único IGBT, IKP28N65ES5XKSA1, 28 A, 650 V, TO-220
- Infineon CI de transistor único IGBT, 20 A, 1200 V, PG-TO-247, 3 pines