Infineon IGBT, BSC16DN25NS3GATMA1 Simple, Tipo N-Canal, 10.9 A, PG-TDSON-8, 8 pines 1 Orificio pasante

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Código RS:
273-5239
Referência do fabricante:
BSC16DN25NS3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente continua máxima de colector Ic

10.9A

Tipo de producto

IGBT

Número de transistores

1

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Configuración

Simple

Encapsulado

PG-TDSON-8

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

8

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.1mm

Anchura

6.1 mm

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21

Altura

1.15mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de canal N con una temperatura de funcionamiento de 150 grados centígrados. Se trata de una conversión de dc a dc optimizada. Este MOSFET está calificado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones de destino. Este MOSFET es sin halógenos de acuerdo con el estándar IEC61249 2 21.

Conformidad con RoHS

Chapado sin plomo

Baja resistencia de encendido

Excelente carga de puerta

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