IGBT, BSC16DN25NS3GATMA1, N-Canal, PG-TDSON-8, 8-Pines

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Código RS:
273-5239
Referência do fabricante:
BSC16DN25NS3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

62,5 W

Tipo de Encapsulado

PG-TDSON-8

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

8

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de canal N con una temperatura de funcionamiento de 150 grados centígrados. Se trata de una conversión de dc a dc optimizada. Este MOSFET está calificado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones de destino. Este MOSFET es sin halógenos de acuerdo con el estándar IEC61249 2 21.

Conformidad con RoHS
Chapado sin plomo
Baja resistencia de encendido
Excelente carga de puerta

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